图十四、中国MCPEs的制备工艺（a）MCPEs的制备工艺的原理图。

（d）InSbNS的选择区域电子衍射图图二、风电风白发布InSbNSFETs的电性能（a）背栅InSbNSsFET的结构示意图。图四、行业P(VDF-TrFE)钝化InSbNS光电探测器的电性能（a）设备的光学和示意图。

为进一步提高探测器的光敏性，首部作者利用铁电聚合物P(VDF-TrFE)对InSbNSs表面进行钝化处理，得到了高灵敏度的红外光探测器。抗台（b）InSb光电探测器的响应度和探测率。皮书（b）P(VDF-TrFE)钝化的InSbNS光电探测器的能带图。

由于纳米结构材料的高体积比，中国样品表面的缺陷会影响性能，不利于双极性InSb光电探测器。【背景介绍】近十年里，风电风白发布低维III-V化合物半导体纳米材料在高速纳米级电子学和广谱检测中具有优异的物理特性，被广泛的研究关注。

在覆盖保护层后，行业极大的提高了探测器的性能，该光电探测器的响应度和探测度分别为311.5AW-1和9.8×109Jones。

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